十二五规划中发展重点发展的半导体和集成电路测试仪器项目，国内唯一一套完全自主研发的闪存测试设备，可以检测到闪存芯片任意底层原始数据，通过向闪存芯片发送00~FF的指令，可以检测到闪存芯片厂商没有像使用者公开的指令，有效防止闪存内部有后门，泄露数据，填补了国内该类芯片二筛需求。

主要指标：

支持最新制程3D Nand Flash，1x nm以及25nm，34nm，56nm制程Nand Flash •支持SLC，MLC，TLC，eMLC •支持8位和16位异步Flash •支持同步，Toggle Flash •支持Micron、Toshiba、Samsung、Intel、Sandisk，Hynix厂商所有常规Nand Flash • 支持TSOP48 ，BGA63 ，BGA100 ，BGA132 ，BGA152封装•可以定制开发非常规封装、自定义封装Nand Flash 性能指标•通过USB2.0接口测试设备内部连接工控电脑，计算由测试主板FPGA完成，对工控电脑资源消耗极低，USB2.0仅仅是将计算结果反馈给软件，因此不会对性能产生任何影响; •测试效率主要取决于所需要测试Nand Flash的接口性能以及所需测试项目的内容，如：测试P/E cycle，所需时间完全取决于测试Block数量、测试pattern，及Nand Flash接口的性能; •测试客户自主开发的BCH ECC或者LDPC 强度，测试Read Retry; •对Nand Flash进行电压拉偏和物理烧毁测试；•对Nand Flash原始误码率（Raw-Bit Error Rate）、以及不可纠正的误码率进行测试；•对Nand Flash进行数据保存时间(Data Retention)的测试；•对Nand Flash进行编程干扰（Program Disturb）测试，软件会以图示的形式反映在P/E cycle的影响下，Bit Error和page Error的分布情况；•对Nand Flash进行读、写、擦操作时间的测试，通过此项测试可以将测试结果进行保存和导出，从而清楚的分析出快页Upper page和慢页Lower page的分布。