当前测量和评估电火工品（EED）电磁环境下的受影响程度的方法，主要通过测量射频电流的方式，其仅能定性评估电磁环境对电火工品的危害，难以定量评估电磁环境对电火工品危害，应用中也通常难以贯彻执行现有标准要求。测量EED桥线丝或类似装置的电磁诱导温度上升是一种可行的方案，基于砷化镓光学芯片吸收式原理的光纤温度传感技术（ FOS）具有精度度高、响应快，体积小（150um）、热涵小、对电磁干扰（ EMI）完全免疫等特性，已成为目前HERO/RADHAZ 测试的“金标准”。 砷化镓光学芯片吸收式原理的光纤温度传感技术是基于砷化镓光学材料对光学吸收截止波长随温度变化的机理；砷化镓一种直接带隙半导体材料，其导带和价带间存在一个带隙能量Eg，当入射光子能量大于带隙能量Eg时，光子被吸收；当入射光子能量小于带隙能量Eg时，光子不被吸收。因此，当光通过砷化镓半导体时，较短波长的光，由于具有较大的频率和较高的能量，被吸收；较长波长的光，由于具有较小的频率和较低的能量，不被吸收；砷化镓材料类似于一个长波通的光学滤波器。温度的变化会导致Eg的变化，也就是截止波长的变化，基于温度对砷化镓材料截止波长的影响，可通过探测截止波长获取温度信息。

主要指标:

电火工品（EED）受电磁环境干扰评估系统：

砷化镓光纤温度解调仪：1）测温范围：0—120oC  2）测温分辨率：0.1oC  3）采样频率：>100Hz

砷化镓光纤温度传感器：1）电磁环境免疫  2）传感器尺寸：<150um*150um*110um